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Winbond Electronics

W66CP2NQQAGJ

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Winbond W66CP2NQQAGJ - Hochleistungsfähiger LPDDR4 Mobile-DRAM

Der W66CP2NQQAGJ von Winbond Electronics ist ein hochmoderner 4-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicher, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde, die schnelle und energieeffiziente Speicherlösungen erfordern. Mit einer Taktfrequenz von 1,867 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns bietet dieser Speicherchip herausragende Leistung für Smartphones, Tablets, Fahrzeugsysteme und IoT-Geräte.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 1,867 GHz Taktfrequenz mit 3,6 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
  • Geringer Stromverbrauch: LPDDR4-Technologie, optimiert für mobile Anwendungen mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V)
  • Große Kapazität: Die 4-Gbit-Speicherorganisation (128M x 32) bietet ausreichend Speicherplatz für anspruchsvolle Anwendungen.
  • Breiter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC), ideal für Automobil- und Industrieumgebungen
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) für platzsparende Designs
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich und entspricht internationalen Standards.

Anwendungen

Ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, industrielle IoT-Geräte, Wearables und eingebettete Computerplattformen, die leistungsstarke und energieeffiziente Speicherlösungen benötigen.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Winbond W66CP2NQQAGJ wählen?

Winbond Electronics ist ein führender Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen mit jahrzehntelanger Erfahrung. Der W66CP2NQQAGJ vereint bewährte Zuverlässigkeit, modernste LPDDR4-Technologie und umfassende Qualitätssicherung für konstante Leistung in unternehmenskritischen Anwendungen. Dank vollständiger technischer Dokumentation und weltweitem Support ist dieser Speicherchip die ideale Wahl für Ingenieure und Entwickler, die hochwertige Komponenten mit langer Lebensdauer suchen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4
Speichergröße 4 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 32
Speicherschnittstelle LVSTL_11
Taktfrequenz 1,867 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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