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W66CP2NQQAHJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66CP2NQQAHJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4-Mobilspeicher
Der Winbond W66CP2NQQAHJ TR ist ein hochwertiger 4-Gbit-LPDDR4-SDRAM-Speicherchip, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen in den Bereichen Mobilgeräte, Automobile, Industrie und Telekommunikation entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 128M x 32 und einer Taktfrequenz von 2,133 GHz bietet dieser flüchtige DRAM herausragende Leistung mit ultraschnellen Zugriffszeiten von 3,6 ns und Schreibzyklen von 18 ns.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 2,133 GHz Taktfrequenz mit 3,6 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
- Erweiterter Temperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC) – Betrieb gewährleistet Zuverlässigkeit auch unter rauen Umgebungsbedingungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) für platzsparende Designs
- Niederspannungsbetrieb: Duale Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V) für Energieeffizienz
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Konformitätsstandards.
- Gurt- und Rollenverpackung: Bereit für automatisierte Montageprozesse
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsinfrastruktur, Medizintechnik und Unterhaltungselektronik, die eine lange Lebensdauerunterstützung und vollständige Rückverfolgbarkeit erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Alle Spezifikationen werden aus dem Original-Herstellerdatenblatt übernommen, um vollständige Genauigkeit und Rückverfolgbarkeit für die B2B-Beschaffung zu gewährleisten.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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