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Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
W66CP2NQUAGJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66CP2NQUAGJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4 Mobile-DRAM
Der W66CP2NQUAGJ TR von Winbond Electronics ist ein hochmoderner 4-Gbit-LPDDR4-SDRAM, der speziell für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 128M x 32 und einer Taktfrequenz von 2,133 GHz bietet dieser flüchtige Hochgeschwindigkeitsspeicher herausragende Leistung für die Bereiche Automobil, Industrie, Telekommunikation und Medizintechnik.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 2,133 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
- Geringer Stromverbrauch: Optimierte LPDDR4-Technologie mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V)
- Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 105 °C für raue Industrieumgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung
- Zuverlässige Versorgung: Gurt- und Rollenverpackungen für die automatisierte Montage
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsgeräte, medizinische Geräte und andere Anwendungen, die einen leistungsstarken, energiesparenden mobilen Speicher mit erweitertem Temperaturbetrieb erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen
Alle Spezifikationen können ohne vorherige Ankündigung geändert werden. Die aktuellsten Informationen finden Sie im Datenblatt des Herstellers.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
W66CP2NQUAGJ TR.pdf