W66CP2NQUAHJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66CP2NQUAHJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4 Mobile-DRAM
Der W66CP2NQUAHJ TR von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 4-Gbit-LPDDR4-SDRAM, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen mit hohem Stromverbrauch und schnellen Datenübertragungsraten entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 2,133 GHz und einer Speicherorganisation von 128M x 32 bietet dieser flüchtige DRAM herausragende Leistung für anspruchsvolle Anwendungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 2,133 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
- Energiesparendes Design: LPDDR4-Technologie, optimiert für mobile Anwendungen mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V)
- Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC), ideal für industrielle und automobile Anwendungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-WFBGA (10 x 14,5 mm) für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser LPDDR4 SDRAM ist ideal für:
- Mobilgeräte und Smartphones
- Tablets und tragbare Computer
- Infotainmentsysteme für Fahrzeuge
- Industrielle eingebettete Systeme
- IoT- und Edge-Computing-Geräte
- Hochleistungsfähige Wearables
Qualität & Konformität
Der von Winbond Electronics, einem führenden Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen, gefertigte W66CP2NQUAHJ TR erfüllt strenge Qualitätsstandards und ist RoHS-konform. Er ist in praktischer Gurtverpackung für automatisierte Montageprozesse erhältlich.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |

W66CP2NQUAHJ TR.pdf