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Winbond Electronics

W66CP6RBQAGJ TR

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Winbond W66CP6RBQAGJ TR - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR4X-Speicher

Der Winbond W66CP6RBQAGJ ist ein mobiler 4-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher, der für leistungsstarke Anwendungen mit geringem Stromverbrauch und erweitertem Temperaturbereich entwickelt wurde. Diese Speicherlösung bietet eine Taktfrequenz von 1866 MHz und eine 256M x 16-Speicherstruktur und eignet sich daher ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation, der Medizintechnik und der Unterhaltungselektronik.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 1866 MHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit für anspruchsvolle Anwendungen
  • Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC) für raue Umgebungen
  • Energiesparendes Design: Duale Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V), optimiert für mobile und batteriebetriebene Geräte
  • Kompakte Bauform: 200-TFBGA-Gehäuse (10 x 14,5 mm) für oberflächenmontierte Designs
  • Branchenkonformität: RoHS-konform hinsichtlich Umweltstandards
  • Zuverlässige Versorgung: Gurt- und Rollenverpackungen für automatisierte Montageprozesse

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser LPDDR4X-Speicher eignet sich gut für:

  • Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Verteidigungssysteme, die einen Betrieb über einen erweiterten Temperaturbereich erfordern
  • Automotive Infotainment- und ADAS-Plattformen
  • Industrielle Steuerungs- und Automatisierungsgeräte
  • Telekommunikationsinfrastruktur
  • Medizinprodukte und Diagnosegeräte
  • Hochleistungsfähige Unterhaltungselektronik

Qualität und Rückverfolgbarkeit

Alle Winbond W66CP6RBQAGJ-Komponenten stammen von autorisierten Distributoren und bieten vollständige Rückverfolgbarkeit durch den Hersteller sowie langfristigen Support. Ausführliche Datenblätter und Anwendungshinweise sind bei Winbond Electronics erhältlich.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 4 Gbit/s
Speicherorganisation 256 m x 16
Speicherschnittstelle LVSTL_06
Taktfrequenz 1,866 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,5 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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