-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
Winbond W66CQ2NQQAFJ 4-Gbit-LPDDR4X-Mobil-DRAM-Speicher – 1,6 GHz, 200 TFBGA
Normaler Preis
€3,95
Normaler Preis
Verkaufspreis
€3,95
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
Versand wird beim Checkout berechnet
Anzahl
Verfügbarkeit für Abholungen konnte nicht geladen werden
Recycling Electronic Components
Winbond W66CQ2NQQAFJ – Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR4X-DRAM-Speicher
Der Winbond W66CQ2NQQAFJ ist ein hochmoderner 4-Gbit-LPDDR4X-DRAM-Speicherchip für mobile Anwendungen mit hohen Leistungsanforderungen, sowohl für Mobilgeräte als auch für eingebettete Systeme. Mit einer 128M x 32-Architektur und einer Taktfrequenz von 1,6 GHz bietet diese Speicherlösung außergewöhnliche Geschwindigkeit und Zuverlässigkeit für anspruchsvolle mobile Computerumgebungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,6 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie, optimiert für mobile Anwendungen mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V)
- Breiter Temperaturbereich: Industrieller Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC) für zuverlässige Leistung in rauen Umgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, IoT-Geräte, industrielle Steuerungen und eingebettete Computerplattformen, die schnelle und energieeffiziente Speicherlösungen benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 1,6 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
No datasheet available. Please contact sales@hqickey.com for the latest datasheet.
×