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Winbond Electronics

W66CQ2NQQAFJ TR

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Winbond W66CQ2NQQAFJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4X Mobile-DRAM

Der Winbond W66CQ2NQQAFJ TR ist ein hochzuverlässiger 4-Gbit-LPDDR4X-Mobil-DRAM, der für anspruchsvolle Anwendungen in der Automobil-, Industrie-, Medizin- und Telekommunikationsbranche entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 128M x 32 und einer Taktfrequenz von 1,6 GHz bietet diese Komponente außergewöhnliche Leistung bei geringem Stromverbrauch.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 1,6 GHz Taktfrequenz mit 3,6 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
  • Energiesparendes Design: LPDDR4X-Technologie optimiert für mobile und eingebettete Anwendungen
  • Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 105 °C für raue Umgebungen
  • Kompakte Abmessungen: 200-TFBGA (10x14,5 mm) SMD-Gehäuse
  • Vollständige Konformität: RoHS/REACH-zertifiziert mit vollständiger Rückverfolgbarkeit
  • Lange Lebensdauer: Unterstützt durch die langfristige Verfügbarkeitsgarantie des Herstellers.

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser DRAM wurde für unternehmenskritische Systeme entwickelt, die eine hohe Zuverlässigkeit und eine lange Lebensdauer erfordern, darunter Infotainmentsysteme für die Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte, Luft- und Raumfahrtsysteme sowie Telekommunikationsinfrastruktur.

Vollständige technische Spezifikationen

Qualität & Konformität

Als autorisierter Distributor bieten wir 100 % rückverfolgbare Komponenten mit Originaldokumentation des Herstellers, vollständiger RoHS/REACH-Konformitätszertifizierung und langfristigem Support über den gesamten Produktlebenszyklus. Alle Produkte werden mit vollständigen Spezifikationen und Qualitätssicherungsdokumenten ausgeliefert.

Verpackung & Verfügbarkeit

Erhältlich in Gurtverpackung (TR) für automatisierte Montageprozesse. Kontaktieren Sie uns für Preise bei größeren Bestellmengen, Lieferzeiten und individuelle Verpackungsoptionen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 4 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 32
Speicherschnittstelle LVSTL_11
Taktfrequenz 1,6 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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