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W66CQ2NQQAGJ
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66CQ2NQQAGJ – Hochleistungsfähiger LPDDR4X Mobile SDRAM
Der Winbond W66CQ2NQQAGJ ist ein hochmoderner 4-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher, der speziell für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer beeindruckenden Taktfrequenz von 1,867 GHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 3,6 ns bietet dieser Speicherchip herausragende Leistung für Smartphones, Tablets, Fahrzeugsysteme und IoT-Geräte.
Hauptmerkmale und Vorteile:
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 1,867 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie, optimiert für mobile Anwendungen mit dualer Spannungsversorgung (1,06 V–1,17 V, 1,7 V–1,95 V)
- Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC), ideal für Automobil- und Industrieanwendungen
- Kompaktes Design: Das oberflächenmontierbare 200-TFBGA-Gehäuse (10 x 14,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Platine.
- Flexible Organisation: 128M x 32 Speicherarchitektur mit LVSTL_11-Schnittstelle
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und entspricht internationalen Standards.
Anwendungsbereiche:
Diese vielseitige Speicherlösung eignet sich ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte und fortschrittliche IoT-Anwendungen, die einen schnellen und energiesparenden Speicher erfordern.
Vollständige technische Spezifikationen:
Als autorisierter Winbond-Händler bieten wir Originalkomponenten mit vollständiger Rückverfolgbarkeit und technischem Support. Kontaktieren Sie uns für Mengenrabatte, individuelle Verpackungsoptionen oder technische Unterstützung.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 1,867 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
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