-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
W66CQ2NQQAGJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
Verfügbarkeit für Abholungen konnte nicht geladen werden
Winbond W66CQ2NQQAGJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4X Mobile-DRAM
Der Winbond W66CQ2NQQAGJ ist ein leistungsstarker 4-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen mit geringem Stromverbrauch und hoher Datenübertragungsrate entwickelt wurde. Dieser flüchtige Speicherchip verfügt über eine 128M x 32-Architektur mit LVSTL_11-Schnittstelle und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 1,867 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns.
Hauptmerkmale:
- 4 Gbit Speicherkapazität mit 128M x 32 Organisation
- LPDDR4X-Technologie für mobile Anwendungen mit extrem niedrigem Stromverbrauch
- 1,867 GHz Taktfrequenz mit 3,6 ns Zugriffszeit
- Duale Spannungsversorgung: 1,06 V ~ 1,17 V und 1,7 V ~ 1,95 V
- Erweiterter Temperaturbereich: -40 °C bis 105 °C (TC)
- 200-TFBGA (10x14,5) SMD-Gehäuse
- RoHS- und REACH-konform
- Gurt- und Rollenverpackung für die automatisierte Montage
Anwendungsbereiche: Ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, medizinische Geräte und andere mobile Computerplattformen, die zuverlässigen Hochgeschwindigkeitsspeicher mit langer Lebensdauer benötigen.
Als autorisierter Distributor bieten wir vollständige Rückverfolgbarkeit, Originaldokumentation des Herstellers und garantierte langfristige Verfügbarkeit für eine sichere Konstruktion in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie, Medizin und Telekommunikation.
Vollständige technische Spezifikationen
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 1,867 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,6 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-TFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
No datasheet available. Please contact sales@hqickey.com for the latest datasheet.
