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Winbond Electronics

W66CQ2NQQAHJ

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Winbond W66CQ2NQQAHJ – Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR4X-SDRAM-Speicher

Der Winbond W66CQ2NQQAHJ ist ein leistungsstarker 4-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der für anspruchsvolle Anwendungen mit Bedarf an zuverlässigen Hochgeschwindigkeitsspeicherlösungen entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 2,133 GHz und einer Speicherorganisation von 128M x 32 bietet diese Komponente herausragende Leistung für mobile Anwendungen, Automobilanwendungen, Industrieanwendungen und Telekommunikationsanwendungen.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 2,133 GHz Taktfrequenz mit 3,6 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
  • Große Kapazität: 4 Gbit Speichergröße in effizienter 128M x 32-Organisation
  • Für Mobilgeräte optimiert: LPDDR4X-Technologie für energieeffizienten Betrieb
  • Breiter Betriebsbereich: Industrieller Temperaturbereich von -40 °C bis 105 °C (TC)
  • Unterstützung für zwei Spannungen: Versorgungsspannungen von 1,06 V ~ 1,17 V und 1,7 V ~ 1,95 V
  • Kompaktes Gehäuse: 200-TFBGA (10x14,5mm) SMD-Gehäuse
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Standards

Anwendungen

Ideal für mobile Geräte, Automobilsysteme, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsgeräte, IoT-Geräte und eingebettete Systeme, die einen hochleistungsfähigen flüchtigen Speicher mit erweitertem Temperaturbetrieb erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Warum Winbond-Speicher wählen?

Winbond Electronics ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen und bietet zuverlässige, hochwertige Komponenten mit umfassendem technischem Support und langfristigen Verfügbarkeitsgarantien. Der W66CQ2NQQAHJ repräsentiert modernste mobile Speichertechnologie für unternehmenskritische Anwendungen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett | Tablett
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 4 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 32
Speicherschnittstelle LVSTL_11
Taktfrequenz 2,133 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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