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Winbond Electronics

W66CQ2NQQAHJ TR

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Winbond W66CQ2NQQAHJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4X Mobile-DRAM

Der Winbond W66CQ2NQQAHJ TR ist ein Premium-4-Gbit-LPDDR4X-SDRAM, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde, die schnelle und energieeffiziente Speicherlösungen erfordern. Mit einer Taktfrequenz von 2,133 GHz und einer 128M x 32-Struktur bietet dieser flüchtige DRAM herausragende Leistung für anspruchsvolle Anwendungen in der Automobilindustrie, der Industrie, der Telekommunikation und der Unterhaltungselektronik.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 2,133 GHz bei einer Zugriffszeit von 3,6 ns gewährleistet einen schnellen Datendurchsatz.
  • Geringer Stromverbrauch: LPDDR4X-Technologie optimiert für mobile und akkubetriebene Geräte
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 105 °C (TC) für raue Umgebungen
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 200-TFBGA (10 x 14,5 mm) für platzsparende Designs
  • RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für globale Märkte
  • Zuverlässige Versorgung: Gurt- und Rollenverpackungen für automatisierte Montageprozesse

Typische Anwendungen

  • Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
  • Industrielle IoT- und Edge-Computing-Geräte
  • 5G-Telekommunikationsgeräte
  • Medizinische Bildgebungs- und Diagnosesysteme
  • Hochleistungsfähige eingebettete Systeme

Vollständige technische Spezifikationen

Qualität und Rückverfolgbarkeit

Alle Winbond W66CQ2NQQAHJ TR-Komponenten stammen direkt von autorisierten Distributoren und sind vollständig rückverfolgbar. Jede Einheit enthält die vollständige Dokumentation für Konformität und Qualitätssicherung in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Medizintechnik und Industrie.

Für Datenblätter, Anwendungshinweise und technischen Support wenden Sie sich bitte an unser Entwicklungsteam.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR)
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR4X
Speichergröße 4 Gbit/s
Speicherorganisation 128 m x 32
Speicherschnittstelle LVSTL_11
Taktfrequenz 2,133 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 18ns
Zugriffszeit 3,6 ns
Spannungsversorgung 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 105 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 200-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 200-TFBGA (10x14,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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