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W66CQ2NQUAHJ TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W66CQ2NQUAHJ TR - Hochleistungsfähiger LPDDR4X Mobile-DRAM
Der Winbond W66CQ2NQUAHJ TR ist ein hochzuverlässiger 4-Gbit-LPDDR4X-SDRAM-Speicher, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen mit hohem Stromverbrauch und hoher Geschwindigkeit entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 2,133 GHz und einem breiten Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 105 °C bietet diese Speicherlösung herausragende Leistung für anspruchsvolle Anwendungen in der Automobil-, Industrie-, Telekommunikations- und Medizintechnik.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: 2,133 GHz Taktfrequenz mit 3,5 ns Zugriffszeit für schnelle Datenverarbeitung
- Energiesparendes Design: LPDDR4X-Technologie optimiert für mobile und batteriebetriebene Anwendungen
- Erweiterter Temperaturbereich: Betrieb bei -40 °C bis 105 °C für raue Umgebungen
- Flexible Organisation: 128M x 32 Speicherarchitektur für vielseitige Systemintegration
- Industriestandardgehäuse: 200-WFBGA-Oberflächenmontagegehäuse (10x14,5 mm)
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung
Vollständige technische Spezifikationen
Anwendungen
Ideal für die Bereiche Luft- und Raumfahrt, Automobilelektronik, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsinfrastruktur und Medizintechnik, die eine lange Lebensdauer und bewährte Zuverlässigkeit erfordern.
Autorisierter Vertriebspartner: Wir bieten vollständige Rückverfolgbarkeit, authentische Winbond-Komponenten und umfassenden technischen Support für Ihre Design-In-Anforderungen.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR4X |
| Speichergröße | 4 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVSTL_11 |
| Taktfrequenz | 2,133 GHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 18ns |
| Zugriffszeit | 3,5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 105 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 200-WFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 200-WFBGA (10x14,5) |
| RoHS |  |
W66CQ2NQUAHJ TR.pdf