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Winbond Electronics

W9412G6KH-5I

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Winbond W9412G6KH-5I DDR SDRAM Speicher-IC – Hochleistungslösung mit 128 Mbit

Der Winbond W9412G6KH-5I ist ein hochzuverlässiger 128-Mbit-DDR-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle Embedded-, Industrie-, Automobil- und IoT-Anwendungen entwickelt wurde. Dieser von Winbond Electronics hergestellte Speicherchip bietet mit einer Taktfrequenz von 200 MHz und einer Speicherorganisation von 8M x 16 herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für Systeme, die einen schnellen und zuverlässigen Datenzugriff erfordern.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 200 MHz bei einer Zugriffszeit von 50 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
  • Industrielle Zuverlässigkeit: Breiter Betriebstemperaturbereich (-40 °C bis 85 °C) für raue Umgebungen
  • Optimierte Energieeffizienz: Die Versorgungsspannung von 2,3 V bis 2,7 V reduziert den Stromverbrauch.
  • SSTL_2-Schnittstelle: Industriestandard-Schnittstelle für nahtlose Integration
  • Oberflächenmontage-Design: 66-TSOP II-Gehäuse für effizientes Leiterplattenlayout
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Standards.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser DDR-SDRAM-Speicher-IC eignet sich perfekt für:

  • Eingebettete Systeme und Steuerungen
  • Industrielle Automatisierungsanlagen
  • Automobilelektronik und Infotainmentsysteme
  • IoT-Geräte und Edge-Computing
  • Netzwerk- und Telekommunikationsgeräte
  • Medizinprodukte und Instrumente

Warum sollten Sie sich für HQICKEY bei Ihren Speicherkomponenten entscheiden?

Wir bei HQICKEY sind spezialisiert auf die Bereitstellung authentischer, hochwertiger Halbleiterkomponenten mit garantiertem Lifecycle-Support. Unser umfangreiches Produktportfolio im Bereich Speicher umfasst DRAM, SRAM, Flash-Speicher und spezialisierte Speicherlösungen führender Hersteller weltweit.

Technische Ressourcen und Support

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - DDR
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 8 m x 16
Speicherschnittstelle SSTL_2
Taktfrequenz 200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 50 ns
Spannungsversorgung 2,3 V ~ 2,7 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TA)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 66-TSSOP (0,400", 10,16 mm Breite)
Gerätepaket des Lieferanten 66-TSOP II
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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