W9425G6EH-5

W9425G6EH-5 DDR SDRAM-Speicherchip – Hochleistungsfähige flüchtige Speicherlösung

Der W9425G6EH-5 von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 256-Mbit-DDR-SDRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische eingebettete Systeme in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie, Medizin und Telekommunikation entwickelt wurde. Dieses flüchtige DRAM-Modul bietet mit einer Taktfrequenz von 250 MHz und einer Speicherorganisation von 16M x 16 herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für anspruchsvolle Anwendungen mit parallelen Schnittstellen.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 250 MHz mit einer Schreibzykluszeit von 15 ns und einer Zugriffszeit von 55 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
• Optimale Kapazität: 256 Mbit Speichergröße mit 16M x 16 Organisation bieten ausgewogenen Speicherplatz für eingebettete Anwendungen
• Breiter Betriebsbereich: Funktioniert zuverlässig von 0 °C bis 70 °C mit einer Versorgungsspannung von 2,3 V bis 2,7 V.
• Platzsparendes Design: Das oberflächenmontierbare 66-TSOP-II-Gehäuse (0,400", 10,16 mm Breite) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte.
• Branchenkonformität: RoHS-konform für Umweltschutz und Einhaltung gesetzlicher Vorschriften
• Parallele Schnittstelle: Ermöglicht Datenübertragung mit hoher Bandbreite für leistungskritische Systeme

Technische Spezifikationen

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• W9425G6EH-5.pdf