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W949D2DBJX5E
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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W949D2DBJX5E - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR-SDRAM-Speicher
Der W949D2DBJX5E von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 512-Mbit-Mobil-LPDDR-SDRAM, der speziell für unternehmenskritische Embedded-Systeme entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 200 MHz, einer Speicherorganisation von 16M x 32 und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 5 ns bietet dieser flüchtige DRAM herausragende Leistung für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation. Das kompakte 90-VFBGA-Gehäuse (8x13) ermöglicht einen zuverlässigen Betrieb in einem erweiterten Temperaturbereich von -25 °C bis 85 °C und ist somit ideal für anspruchsvolle Umgebungen geeignet.
Mit einer niedrigen Betriebsspannung von 1,7 V bis 1,95 V und RoHS-Konformität vereint der W949D2DBJX5E Energieeffizienz mit Umweltverträglichkeit. Ob Sie mobile Geräte der nächsten Generation, industrielle Steuerungen oder leistungsstarke Embedded-Systeme entwickeln – diese Speicherlösung bietet Ihnen die benötigte Geschwindigkeit, Zuverlässigkeit und Qualität.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobiles LPDDR |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 90-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 90-VFBGA (8x13) |
| RoHS |  |
W949D2DBJX5E.pdf