W949D2DBJX5E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W949D2DBJX5E TR - 512Mbit Mobile LPDDR SDRAM Speicher-IC
Der Winbond W949D2DBJX5E TR ist ein leistungsstarker 512-Mbit-Mobile-Low-Power-DDR-SDRAM (LPDDR), der speziell für energieempfindliche mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Diese flüchtige Speicherlösung bietet mit einer Taktfrequenz von 200 MHz und einer Zugriffszeit von 5 ns herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für Smartphones, Tablets, Automobilsysteme und Industriegeräte, die zuverlässigen und energiesparenden Speicher benötigen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 200 MHz bei einer Zugriffszeit von 5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Optimale Speicherkonfiguration: 512 Mbit Kapazität mit 16M x 32 Organisation für effizientes Datenmanagement
- Geringer Stromverbrauch: Mobile LPDDR-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,7 V ~ 1,95 V reduziert den Energieverbrauch.
- Breiter Betriebstemperaturbereich: -25 °C bis 85 °C (TC) – geeignet für anspruchsvolle Industrie- und Automobilumgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 90-VFBGA (8x13)-Gehäuse optimiert die Platinenplatznutzung.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, erfüllt globale Regulierungsstandards.
- Parallele Schnittstelle: Vereinfachte Integration in bestehende Systemarchitekturen
Anwendungen
Dieser LPDDR SDRAM wurde für unternehmenskritische Anwendungen entwickelt, darunter mobile Geräte, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme, medizinische Geräte, Telekommunikationsinfrastruktur und eingebettete Computerplattformen, bei denen Zuverlässigkeit und Energieeffizienz von größter Bedeutung sind.
Technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Schneideband (CT) | Band und Rolle (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobiles LPDDR |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 90-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 90-VFBGA (8x13) |
| RoHS |

W949D2DBJX5E TR.pdf