W949D2DBJX5I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €1,95 EUR | €1,95 EUR |
| 15+ | €1,79 EUR | €26,85 EUR |
| 25+ | €1,76 EUR | €44,00 EUR |
| 50+ | €1,66 EUR | €83,00 EUR |
| 100+ | €1,46 EUR | €146,00 EUR |
| N+ | €0,29 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W949D2DBJX5I TR – Hochleistungsfähiges mobiles LPDDR-SDRAM
Der Winbond W949D2DBJX5I TR ist ein hochwertiger 512-Mbit-Mobile-Low-Power-DDR-SDRAM (LPDDR), der für eingebettete Systeme, mobile Geräte und industrielle Anwendungen mit Bedarf an schnellen und energieeffizienten Speicherlösungen entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 16M x 32 und einer Taktfrequenz von 200 MHz bietet diese Komponente herausragende Leistung für anspruchsvolle Anwendungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- 512 Mbit Kapazität: Die 16M x 32 Organisation bietet ausreichend Speicher für komplexe eingebettete Anwendungen.
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 200 MHz bei einer Zugriffszeit von 5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
- Geringer Stromverbrauch: Mobile LPDDR-Technologie optimiert für energieeffizienten Betrieb (1,7 V ~ 1,95 V)
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C für raue Umgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 90-VFBGA (8x13)-Footprint spart wertvollen Platinenplatz
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, entspricht internationalen Standards
Technische Spezifikationen
Anwendungen und Anwendungsfälle
Der W949D2DBJX5I TR ist ideal für:
- Mobile Computergeräte und Smartphones
- Industrielle Steuerungssysteme und Automatisierung
- Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
- Eingebettete Computerplattformen
- IoT-Geräte, die einen stromsparenden Speicher benötigen
- Medizinische Geräte und Instrumente
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Verwandte Produkte und Ressourcen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobiles LPDDR |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 90-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 90-VFBGA (8x13) |
| RoHS |

W949D2DBJX5I TR.pdf