Winbond W949D6DBHX5E 512 Mbit Mobile LPDDR SDRAM - 32M x 16 DRAM Speicher-IC

Winbond W949D6DBHX5E - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR-SDRAM-Speicher-IC

Der Winbond W949D6DBHX5E ist ein hochwertiger 512-Mbit-Mobil-LPDDR-SDRAM-Speicher, der für unternehmenskritische Embedded-Anwendungen mit hohen Anforderungen an Speichergeschwindigkeit und geringen Stromverbrauch entwickelt wurde. Dieser industrietaugliche DRAM-Speicher-IC bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit mit einer Taktfrequenz von 200 MHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 5 ns und eignet sich daher ideal für Anwendungen in der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik, der Telekommunikation und in mobilen Geräten.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 200 MHz bei einer Zugriffszeit von 5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für anspruchsvolle Anwendungen.
• Optimierte Speicherarchitektur: Die 32M x 16-Organisation (512 Mbit) ermöglicht eine flexible Speicherkonfiguration für eingebettete Systeme.
• Geringer Stromverbrauch: Die mobile LPDDR-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,7 V bis 1,95 V reduziert den Stromverbrauch.
• Breiter Betriebstemperaturbereich: -25 °C bis 85 °C (TC) – geeignet für industrielle und automobile Umgebungen
• Kompaktes SMD-Gehäuse: Das 60-VFBGA-Gehäuse (8x9) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
• RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Konformitätsstandards.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der mobile LPDDR SDRAM W949D6DBHX5E wurde für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt, darunter Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Automatisierungssteuerungen, medizinische Geräte, Telekommunikationsgeräte, tragbare Messgeräte und eingebettete Computerplattformen, bei denen eine gleichbleibende Leistung und langfristige Verfügbarkeit von entscheidender Bedeutung sind.

Qualität und Zuverlässigkeit

Dieser von Winbond Electronics, einem führenden Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen, gefertigte DRAM-IC durchläuft strenge Qualitätsprüfungen, um höchste Zuverlässigkeit auch unter anspruchsvollen Bedingungen zu gewährleisten. Das RoHS-konforme Design erfüllt internationale Umweltstandards und bietet gleichzeitig die für unternehmenskritische Anwendungen erforderliche Leistung und Lebensdauer.

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