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Winbond Electronics

W94AD2KBJX5E

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Winbond W94AD2KBJX5E - 1 Gbit Mobile LPDDR SDRAM Speicher

Der W94AD2KBJX5E von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 1-Gbit-Mobil-LPDDR-SDRAM-Speicher, der speziell für mobile und eingebettete Anwendungen mit geringem Stromverbrauch und zuverlässigem flüchtigem Speicher entwickelt wurde. Dieser DRAM-Chip verfügt über eine 32M x 32-Speicherorganisation mit einer Taktfrequenz von 200 MHz und ermöglicht schnelle Zugriffszeiten von nur 5 ns und Schreibzyklen von 15 ns.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 200 MHz bei einer Zugriffszeit von 5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für anspruchsvolle mobile Anwendungen.
  • Energiesparendes Design: Die Betriebsspannung von 1,7 V bis 1,95 V optimiert die Energieeffizienz für batteriebetriebene Geräte.
  • Breiter Temperaturbereich: Betriebstemperaturbereich von -25 °C bis 85 °C, geeignet für Industrie- und Automobilanwendungen.
  • Kompaktes Gehäuse: Das oberflächenmontierbare 90-VFBGA-Gehäuse (8x13) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
  • RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der W94AD2KBJX5E eignet sich ideal für Mobilgeräte, Smartphones, Tablets, tragbare Mediaplayer, Infotainmentsysteme im Automobilbereich und eingebettete Computerplattformen, die schnelle und energieeffiziente flüchtige Speicherlösungen benötigen. Dank seiner kompakten Bauform und des breiten Betriebstemperaturbereichs ist er auch für beengte Platzverhältnisse und raue Umgebungsbedingungen geeignet.

Qualität & Konformität

Diese Winbond-Speicherkomponente ist RoHS-konform und wird nach höchsten Qualitätsstandards gefertigt, wodurch langfristige Zuverlässigkeit und vollständige Rückverfolgbarkeit für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation gewährleistet werden.


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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobiles LPDDR
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 32 m x 32
Speicherschnittstelle -
Taktfrequenz 200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 5 ns
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -25 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 90-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 90-VFBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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