W94AD2KBJX5E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W94AD2KBJX5E TR – Hochleistungsfähiges mobiles LPDDR-SDRAM
Der Winbond W94AD2KBJX5E TR ist ein hochwertiger 1-Gbit-Mobil-LPDDR-SDRAM, der speziell für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Dank fortschrittlicher SDRAM-Technologie bietet diese flüchtige Speicherlösung mit einer Taktfrequenz von 200 MHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 5 ns herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für Smartphones, Tablets, Automobilsysteme und industrielle IoT-Geräte.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 1 Gbit Kapazität mit 32M x 32 Organisation bietet ausreichend Speicherplatz für datenintensive mobile Anwendungen.
- Ultraschnelle Leistung: 200 MHz Taktfrequenz mit 5 ns Zugriffszeit gewährleisten schnelle Datenverarbeitung und nahtloses Multitasking.
- Geringer Stromverbrauch: LPDDR-Technologie optimiert für mobile Geräte mit einer Betriebsspannung von 1,7 V bis 1,95 V
- Breiter Temperaturbereich: -25 °C ~ 85 °C (TC) Betriebstemperatur für zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Umgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: Das 90-VFBGA-Gehäuse (8x13) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte in mobilen Designs.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und entspricht internationalen Standards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W94AD2KBJX5E TR eignet sich perfekt für:
- Smartphones und Mobilgeräte
- Tablets und tragbare Computer
- Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
- Industrielles IoT und eingebettete Systeme
- Tragbare Technologie
- Medizinische Geräte, die zuverlässige Speicherlösungen benötigen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobiles LPDDR |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 32 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | - |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 90-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 90-VFBGA (8x13) |
| RoHS |

W94AD2KBJX5E TR.pdf