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Winbond Electronics

W957D8MFYA5I TR

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Winbond W957D8MFYA5I TR - 128Mbit HyperRAM DRAM Speicher-IC

Der Winbond W957D8MFYA5I TR ist ein leistungsstarker 128-Mbit-HyperRAM-DRAM-Speicher-IC, der für eingebettete Systeme, industrielle Anwendungen, Automobil- und IoT-Anwendungen entwickelt wurde, die einen schnellen, zuverlässigen flüchtigen Speicher mit kompakter Bauform erfordern. Mit seiner HyperBus-Schnittstelle und einer Taktfrequenz von 200 MHz bietet diese Speicherlösung einen außergewöhnlichen Datendurchsatz bei geringer Latenz und eignet sich daher ideal für Echtzeitverarbeitung, Edge Computing und bandbreitenintensive eingebettete Systeme.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hochgeschwindigkeits-HyperBus-Schnittstelle: 200 MHz Taktfrequenz mit 35 ns Schreibzykluszeit und 36 ns Zugriffszeit für schnelle Datenübertragung
  • Kompaktes 24-TFBGA-Gehäuse: Platzsparendes 6x8-mm-DDP-Formfaktor, ideal für Designs mit begrenztem Platzangebot.
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C, geeignet für raue Umgebungen
  • Geringer Stromverbrauch: 3 V bis 3,6 V Versorgungsspannung, optimiert für batteriebetriebene und energieeffiziente Anwendungen
  • 16M x 8 Organisation: Flexible Speicherarchitektur für vielfältige Anwendungsanforderungen
  • Oberflächenmontagetechnik: Einfache Integration in automatisierte Leiterplattenbestückungsabläufe

Anwendungen

Dieser HyperRAM-IC wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, darunter Infotainmentsysteme für Automobile, industrielle Steuerungssysteme, IoT-Edge-Geräte, tragbare Elektronik, medizinische Instrumente und Hochgeschwindigkeits-Datenpufferung in FPGA- und Mikrocontroller-basierten Designs.

Technische Spezifikationen

Warum sollten Sie sich für HQICKEY bei Ihren Speicherkomponenten entscheiden?

Wir bei HQICKEY sind spezialisiert auf die Beschaffung und den weltweiten Vertrieb hochwertiger Halbleiterkomponenten mit umfassenden Lifecycle-Verpflichtungen und langfristigen Verfügbarkeitsgarantien. Unser umfangreiches Produktportfolio im Bereich Speicher umfasst DRAM, Flash, SRAM und spezialisierte Speicherlösungen führender Hersteller weltweit.

Technische Ressourcen und Support

Für detaillierte Spezifikationen, Anwendungshinweise, Designrichtlinien und die neuesten Brancheneinblicke besuchen Sie unseren technischen Blog , in dem unser Ingenieurteam Expertenwissen über Speicherauswahl, Best Practices für die Integration und neue Halbleitertechnologien teilt.

Benötigen Sie Unterstützung bei der Komponentenauswahl oder bei Mengenrabatten? Kontaktieren Sie unser technisches Vertriebsteam für individuelle Beratung und maßgeschneiderte Lösungen, die auf Ihre Projektanforderungen zugeschnitten sind.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie HyperRAM
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 8
Speicherschnittstelle HyperBus
Taktfrequenz 200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 35 ns
Zugriffszeit 36 ns
Spannungsversorgung 3 V ~ 3,6 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 24-TBGA
Gerätepaket des Lieferanten 24-TFBGA, DDP (6x8)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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