W959D8NFYA5I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W959D8NFYA5I TR – Hochleistungsfähige 512-Mbit-HyperRAM-Speicherlösung
Der Winbond W959D8NFYA5I TR ist ein hochmoderner 512-Mbit-HyperRAM-DRAM-Speicherchip, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, industriellen Steuerungssystemen, Medizintechnik und Telekommunikationsinfrastruktur entwickelt wurde. Diese hochzuverlässige Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 200 MHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 35 ns. Dadurch eignet sie sich ideal für eingebettete Systeme, die eine schnelle Datenverarbeitung und einen zuverlässigen Betrieb über extreme Temperaturbereiche hinweg erfordern.
Dieser flüchtige DRAM-Speicher basiert auf der fortschrittlichen HyperBus-Schnittstellentechnologie und verfügt über eine 64M x 8-Struktur, die für effizientes Datenmanagement optimiert ist. Das kompakte 24-TFBGA-SMD-Gehäuse (6 x 8 mm DDP) ermöglicht platzsparende Leiterplattendesigns bei gleichzeitig hoher Leistungsfähigkeit. Die Komponente in Industriequalität arbeitet zuverlässig im Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C und erfüllt somit die hohen Anforderungen rauer Umgebungsbedingungen.
Technische Spezifikationen
Hauptmerkmale und Leistungsvorteile
- Extrem hohe Leistung: 200 MHz Taktfrequenz mit 35 ns Zugriffszeit gewährleisten einen schnellen Datendurchsatz für zeitkritische Anwendungen.
- HyperBus-Schnittstelle: Diese fortschrittliche serielle Speicherschnittstelle reduziert die Anzahl der Pins bei gleichzeitig hoher Bandbreite und Systemeffizienz.
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C, ideal für die Automobil-, Luft- und Raumfahrt- sowie Industrieumgebungen
- Kompakte Bauform: Das 24-TFBGA-Gehäuse (6 x 8 mm) maximiert die Platinenplatznutzung bei platzbeschränkten Designs.
- Niederspannungsbetrieb: Der Versorgungsspannungsbereich von 1,7 V bis 2 V optimiert den Stromverbrauch für batteriebetriebene und energieeffiziente Systeme.
- Hohe Kapazität: Die Speicherdichte von 512 Mbit (64 MB) bietet ausreichend Speicherplatz für komplexe eingebettete Anwendungen.
- RoHS-konform: Umweltfreundliches Design erfüllt internationale Regulierungsstandards.
Ideale Anwendungsbereiche
Dieser HyperRAM-Speicher-IC wurde speziell für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt, darunter Infotainmentsysteme für Automobile, ADAS (Advanced Driver Assistance Systems), industrielle Automatisierungssteuerungen, medizinische Bildgebungsgeräte, Avionik für die Luft- und Raumfahrt, Telekommunikationsbasisstationen, IoT-Edge-Computing-Geräte und unternehmenskritische eingebettete Systeme, die einen schnellen, zuverlässigen flüchtigen Speicher mit erweitertem Temperaturbetrieb erfordern.
Qualität und Zuverlässigkeit
Der von Winbond Electronics, einem weltweit führenden Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen, gefertigte W959D8NFYA5I TR durchläuft strenge Qualitätskontrollen und Testverfahren, um gleichbleibende Leistung und langfristige Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Die Gurtverpackung ermöglicht automatisierte Montageprozesse für die Serienfertigung.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | HyperRAM |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 64 m x 8 |
| Speicherschnittstelle | HyperBus |
| Taktfrequenz | 200 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 35 ns |
| Zugriffszeit | 35 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 2 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 24-TBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 24-TFBGA, DDP (6x8) |
| RoHS |

W959D8NFYA5I TR.pdf