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Winbond Electronics

W978H2KBVX1I TR

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Winbond W978H2KBVX1I TR - 256 Mbit Mobile LPDDR2-S4B SDRAM-Speicher

Der Winbond W978H2KBVX1I TR ist ein leistungsstarker mobiler 256-Mbit-LPDDR2-S4B-SDRAM, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Automobil-, Industrie-, Medizin- und Telekommunikationsbranche entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 533 MHz und einer Speicherorganisation von 8M x 32 bietet dieser flüchtige DRAM zuverlässige Leistung über einen weiten Temperaturbereich.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: 533 MHz Taktfrequenz mit 5,5 ns Zugriffszeit für einen reaktionsschnellen Systembetrieb
  • Industrielle Zuverlässigkeit: Der Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 85 °C (TC) gewährleistet zuverlässige Leistung auch unter rauen Umgebungsbedingungen.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: Die 134-VFBGA-Bauform (10 x 11,5 mm) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
  • Betrieb mit zwei Spannungen: Versorgungsspannungen von 1,14 V ~ 1,3 V und 1,7 V ~ 1,95 V für flexibles Energiemanagement
  • RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für die Einhaltung globaler Vorschriften.
  • Gurt- und Rollenverpackung: Bereit für die automatisierte Montage und die Massenfertigung

Ideale Anwendungsbereiche

Diese Speicherkomponente wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, darunter Infotainmentsysteme für Automobile, industrielle Steuerungstechnik, medizinische Diagnosegeräte, Telekommunikationsinfrastruktur und eingebettete Systeme, die eine lange Lebensdauerunterstützung und vollständige Rückverfolgbarkeit erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Autorisierter Vertriebspartner: Wir bieten vollständige Rückverfolgbarkeitsdokumentation, RoHS/REACH-Konformitätszertifikate und eine lange Verfügbarkeit über den gesamten Lebenszyklus hinweg, um Ihre kritischen Designs vom Prototyp bis zur Serienproduktion zu unterstützen.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
Speichergröße 256 Mbit
Speicherorganisation 8 m x 32
Speicherschnittstelle HSUL_12
Taktfrequenz 533 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 5,5 ns
Spannungsversorgung 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 134-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 134-VFBGA (10x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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