W978H2KBVX2E
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W978H2KBVX2E – Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR2-SDRAM-Speicher-IC
Der W978H2KBVX2E von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 256-Mbit-Mobile-LPDDR2-SDRAM-Speicherchip, der für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Dieser flüchtige DRAM-Speicherchip verfügt über eine 8M x 32-Architektur mit paralleler Schnittstelle und arbeitet mit einer Taktfrequenz von 400 MHz. Er bietet herausragende Leistung für energieempfindliche Designs.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 400 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet einen schnellen Datenzugriff.
- Geringer Stromverbrauch: Mobile LPDDR2-Technologie, optimiert für batteriebetriebene Anwendungen
- Breiter Betriebstemperaturbereich: Funktioniert zuverlässig von -25 °C bis 85 °C (TC)
- Flexible Stromversorgung: Spannungsbereich von 1,14 V bis 1,95 V für vielseitige Systemintegration
- Kompakte Bauform: Das 134-VFBGA-Gehäuse (10 x 11,5 mm) für die Oberflächenmontage spart Platz auf der Platine.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale regulatorische Standards.
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für mobile Geräte, IoT-Systeme, Automobilelektronik, industrielle Steuerungen und eingebettete Computerplattformen, die einen zuverlässigen, schnellen flüchtigen Speicher mit geringem Stromverbrauch benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Alle Spezifikationen unterliegen den Angaben im Herstellerdatenblatt. Ausführliche technische Informationen finden Sie im offiziellen Winbond-Datenblatt.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | Tablett |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Speichergröße | 256 Mbit |
| Speicherorganisation | 8 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 400 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |

W978H2KBVX2E.pdf