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Winbond Electronics

W978H6KBVX1E TR

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Winbond W978H6KBVX1E TR - Mobiler LPDDR2-S4B SDRAM-Speicher

Der W978H6KBVX1E TR von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 256-Mbit-Mobil-LPDDR2-S4B-SDRAM, der für unternehmenskritische Anwendungen mit Bedarf an zuverlässigen und energieeffizienten Speicherlösungen entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 533 MHz und einer 16M x 16-Struktur bietet diese Komponente herausragende Leistung für Systeme in der Automobil-, Industrie-, Medizin- und Telekommunikationsbranche.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 533 MHz bei einer Zugriffszeit von 5,5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
  • Geringer Stromverbrauch: Mobile LPDDR2-S4B-Technologie, optimiert für energieempfindliche Anwendungen
  • Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -25 °C bis 85 °C (TC)
  • Kompaktes Gehäuse: Das oberflächenmontierbare 134-VFBGA-Gehäuse (10 x 11,5 mm) spart Platz auf der Platine.
  • RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Einsatz
  • Betrieb mit zwei Spannungen: Versorgungsspannungen von 1,14 V ~ 1,3 V und 1,7 V ~ 1,95 V

Ideale Anwendungsbereiche

Diese Speicherkomponente wurde für anspruchsvolle Umgebungen entwickelt, darunter Navigationssysteme in der Luft- und Raumfahrt, Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme (ADAS) in der Automobilindustrie, Steuerungen für die industrielle Automatisierung, medizinische Diagnosegeräte und Telekommunikationsinfrastruktur. Der erweiterte Temperaturbereich und die bewährte Zuverlässigkeit machen sie ideal für Systeme mit langer Lebensdauer, die eine kontinuierliche Verfügbarkeit erfordern.

Vollständige technische Spezifikationen

Autorisierter Händler: Vollständige Rückverfolgbarkeit, Dokumentation zur RoHS/REACH-Konformität verfügbar. Langfristiger Support für kritische Designs.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
Speichergröße 256 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 16
Speicherschnittstelle HSUL_12
Taktfrequenz 533 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 5,5 ns
Spannungsversorgung 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -25 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 134-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 134-VFBGA (10x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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