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W979H2KBVX1E
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W979H2KBVX1E – Hochleistungsfähiges mobiles LPDDR2-SDRAM
Der Winbond W979H2KBVX1E ist ein leistungsstarker 512-Mbit-Mobile-LPDDR2-S4B-SDRAM, der für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer Taktfrequenz von 533 MHz und einer Speicherorganisation von 16M x 32 bietet dieser industrietaugliche DRAM zuverlässige Leistung in einem breiten Betriebstemperaturbereich von -25 °C bis 85 °C.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 533 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet einen schnellen Datenzugriff für zeitkritische Anwendungen.
- Für Mobilgeräte optimiert: Die LPDDR2-S4B-Technologie bietet einen geringen Stromverbrauch und ist ideal für batteriebetriebene Geräte.
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -25 °C bis 85 °C, geeignet für Anwendungen in der Automobilindustrie, der Industrie und der Telekommunikation.
- Kompakte Bauform: Das 134-VFBGA-Gehäuse (10 x 11,5 mm) für die Oberflächenmontage spart wertvollen Platz auf der Platine.
- Betrieb mit zwei Spannungen: Versorgungsspannungen von 1,14 V ~ 1,3 V und 1,7 V ~ 1,95 V für flexible Systemintegration
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und entspricht internationalen Standards.
Anwendungen
Diese Speicherkomponente eignet sich ideal für mobile Geräte, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungen, Telekommunikationsgeräte und eingebettete Computerplattformen, die einen zuverlässigen, schnellen flüchtigen Speicher mit geringem Stromverbrauch benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 533 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |  |
W979H2KBVX1E.pdf