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Winbond Electronics

W979H2KBVX2E TR

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W979H2KBVX2E TR - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR2-S4B DRAM

Der W979H2KBVX2E TR von Winbond Electronics ist ein hochwertiger 512-Mbit-LPDDR2-S4B-SDRAM für mobile Anwendungen, der speziell für anspruchsvolle mobile und eingebettete Systeme entwickelt wurde. Diese hochzuverlässige, flüchtige Speicherlösung bietet mit einer Taktfrequenz von 400 MHz und effizientem Stromverbrauch herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für Smartphones, Tablets, Fahrzeugsysteme und industrielle IoT-Geräte.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 400 MHz gewährleistet schnellen Datenzugriff und -verarbeitung.
  • Optimierte Speicherorganisation: Die 16M x 32-Konfiguration ermöglicht ein flexibles Speichermanagement.
  • Geringer Stromverbrauch: Betrieb mit zwei Spannungen (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V) maximiert die Akkulaufzeit in mobilen Anwendungen.
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: -25 °C bis 85 °C (TC) – unterstützt vielfältige Umgebungsbedingungen
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) ermöglicht platzsparende Leiterplattendesigns
  • Schnelle Schreibzyklen: Eine Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet eine reaktionsschnelle Systemleistung.
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards

Ideale Anwendungsbereiche

Dieser mobile LPDDR2-S4B-DRAM eignet sich perfekt für:

  • Smartphones und Mobilgeräte
  • Tablets und tragbare Computer
  • Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
  • Industrielle Steuerungssysteme
  • IoT-Edge-Geräte und eingebettete Systeme
  • Medizinische Diagnosegeräte

Technische Spezifikationen

Warum Winbond Electronics wählen?

Winbond Electronics ist ein weltweit anerkannter Marktführer für Halbleiterspeicherlösungen und liefert hochzuverlässige Komponenten für unternehmenskritische Anwendungen in den Bereichen Luft- und Raumfahrt, Automobilindustrie, Industrie, Medizintechnik und Telekommunikation. Der W979H2KBVX2E TR ist ein Beispiel für Winbonds Engagement für Qualität, Leistung und Innovation.

Verwandte Produkte und Ressourcen

Entdecken Sie unsere umfassende Auswahl an Speicherlösungen, darunter DRAM, Flash-Speicher und Speicherkomponenten für Ihr nächstes Projekt. Besuchen Sie unsere Homepage , um unser gesamtes Angebot an hochzuverlässigen Halbleitern kennenzulernen, oder lesen Sie in unserem technischen Blog die neuesten Brancheneinblicke und Anwendungsberichte.

Bestellen Sie Ihren W979H2KBVX2E TR noch heute und erleben Sie den Winbond-Unterschied in der mobilen Speicherleistung.

Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tonband & Spule (TR) |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
Speichergröße 512 Mbit
Speicherorganisation 16 m x 32
Speicherschnittstelle HSUL_12
Taktfrequenz 400 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -25 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 134-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 134-VFBGA (10x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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