W979H2KBVX2I TR

Winbond W979H2KBVX2I TR - Hochzuverlässiger mobiler DRAM-Speicher

Der Winbond W979H2KBVX2I TR ist ein Premium-LPDDR2-S4B-DRAM-Speicher mit 512 Mbit für mobile Anwendungen, der speziell für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser leistungsstarke flüchtige Speicherchip bietet außergewöhnliche Zuverlässigkeit und Geschwindigkeit mit einer Taktfrequenz von 400 MHz und einer Schreibzykluszeit von 15 ns und eignet sich daher ideal für anspruchsvolle Embedded-Systeme und mobile Computerplattformen.

Hauptmerkmale und Vorteile

• Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 400 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet schnellen Datenzugriff und -verarbeitung.
• Robuster Betriebsbereich: Funktioniert zuverlässig im Temperaturbereich von -40 °C bis 85 °C, ideal für raue Industrieumgebungen
• Flexible Speicherorganisation: Die 16M x 32-Konfiguration bietet ein optimales Gleichgewicht zwischen Speicherdichte und Zugriffsgeschwindigkeit.
• Geringer Stromverbrauch: Die duale Spannungsversorgung (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V) optimiert die Energieeffizienz für mobile und batteriebetriebene Anwendungen.
• Kompaktes SMD-Design: Das 134-VFBGA-Gehäuse (10 x 11,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Leiterplatte.
• HSUL_12-Schnittstelle: Die branchenübliche Speicherschnittstelle gewährleistet eine breite Kompatibilität.
• RoHS-konform: Erfüllt die Umweltstandards für den weltweiten Einsatz

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Dieser mobile DRAM-Speicher wurde speziell für Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsanforderungen entwickelt, darunter:

• Avionik und Flugsteuerungssysteme für die Luft- und Raumfahrt
• Automotive Infotainment- und ADAS-Plattformen
• Industrielle Automatisierungs- und Steuerungstechnik
• Medizinische Diagnose- und Überwachungsgeräte
• Telekommunikationsinfrastruktur
• Eingebettete Computersysteme
• Mobilgeräte und Handgeräte

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