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Winbond Electronics

W97AH2NBVA2E

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Winbond W97AH2NBVA2E – Hochleistungsfähiges mobiles LPDDR2-S4B SDRAM

Der W97AH2NBVA2E von Winbond Electronics ist eine hochmoderne Lösung im Bereich mobiler DRAM-Technologie und wurde speziell für hochzuverlässige Anwendungen in der Automobil-, Medizin-, Industrie- und Luft- und Raumfahrtbranche entwickelt. Dieser 1-Gbit-LPDDR2-S4B-SDRAM bietet mit einer Taktfrequenz von 400 MHz herausragende Leistung bei gleichzeitig niedrigem Stromverbrauch und ist damit ideal für unternehmenskritische Embedded-Systeme geeignet.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 400 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für anspruchsvolle Anwendungen.
  • Optimierte Speicherarchitektur: Die 32M x 32-Organisation ermöglicht effiziente Datenzugriffsmuster für eingebettete Systeme.
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TC) – Qualifizierung unterstützt industrielle und automobile Umgebungen
  • Energiesparendes Design: Der Betrieb mit zwei Spannungen (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V) minimiert den Stromverbrauch in mobilen und batteriebetriebenen Geräten.
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: Die 134-VFBGA-Bauform (10 x 11,5 mm) ermöglicht platzsparende Leiterplattendesigns
  • RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung erfüllt globale regulatorische Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen und Anwendungsfälle

Der W97AH2NBVA2E wurde speziell für Anwendungen entwickelt, die hohe Zuverlässigkeit und Leistung in anspruchsvollen Umgebungen erfordern, darunter Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, medizinische Diagnosegeräte, industrielle Steuerungssysteme, Telekommunikationsinfrastrukturen und Avionik für die Luft- und Raumfahrt. Sein robuster Temperaturbereich und die bewährte LPDDR2-S4B-Technologie machen ihn zur idealen Wahl für Systeme, die unter wechselnden Umgebungsbedingungen eine gleichbleibende Leistung benötigen.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B
Speichergröße 1 Gbit/s
Speicherorganisation 32 m x 32
Speicherschnittstelle HSUL_12
Taktfrequenz 400 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit -
Spannungsversorgung 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -40 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 134-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 134-VFBGA (10x11,5)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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