W97AH2NBVA2E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W97AH2NBVA2E TR - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR2-S4B DRAM-Speicher
Der Winbond W97AH2NBVA2E TR ist ein hochwertiger 1-Gbit-LPDDR2-S4B-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der für höchste Zuverlässigkeitsanforderungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Diese fortschrittliche Speicherlösung bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 400 MHz und einer effizienten 32M x 32-Speicherorganisation.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 400 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für anspruchsvolle mobile Anwendungen.
- Optimierte Energieeffizienz: Der Betrieb mit zwei Spannungen (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V) reduziert den Stromverbrauch bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung der Spitzenleistung.
- Erweiterter Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C (TC), ideal für raue Industrie- und Automobilumgebungen
- Platzsparendes Design: Das kompakte 134-VFBGA-Gehäuse (10 x 11,5 mm) für die Oberflächenmontage maximiert die Platzausnutzung auf der Leiterplatte.
- Branchenkonformität: RoHS-zertifiziert für Umweltsicherheit und Einhaltung gesetzlicher Vorschriften
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Dieser hochzuverlässige DRAM-Speicher wurde für unternehmenskritische Anwendungen wie Mobilgeräte, eingebettete Systeme, industrielle Automatisierung, Automobilelektronik, Medizintechnik und Telekommunikationsinfrastruktur entwickelt. Der erweiterte Temperaturbereich und die robuste Bauweise gewährleisten eine gleichbleibende Leistung auch unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 32 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 400 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |

W97AH2NBVA2E TR.pdf