W97AH2NBVA2I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W97AH2NBVA2I TR - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR2-DRAM
Der Winbond W97AH2NBVA2I TR ist ein hochzuverlässiger 1-Gbit-Mobil-LPDDR2-S4B-SDRAM, der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser flüchtige DRAM bietet mit einer Taktfrequenz von 400 MHz und niedrigem Stromverbrauch herausragende Leistung und ist damit ideal für mobile und eingebettete Systeme geeignet, die zuverlässigen Hochgeschwindigkeitsspeicher benötigen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 400 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet schnellen Datenzugriff und -verarbeitung.
- Optimierte Speicherarchitektur: 1 Gbit Kapazität, organisiert als 32M x 32 für effizientes Datenmanagement
- Energiesparendes Design: Die duale Spannungsversorgung (1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V) minimiert den Stromverbrauch für mobile Anwendungen.
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C (TC) für raue Umgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) spart wertvollen Platz auf der Platine.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W97AH2NBVA2I TR wurde für anspruchsvolle Anwendungen wie mobile Geräte, Infotainmentsysteme in der Automobilindustrie, industrielle Steuerungssysteme, medizinische Geräte und Telekommunikationsinfrastrukturen entwickelt, bei denen ein zuverlässiger, schneller flüchtiger Speicher unerlässlich ist.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 32 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 400 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |

W97AH2NBVA2I TR.pdf