W97AH6NBVA1E
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W97AH6NBVA1E - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR2-S4B-DRAM
Der W97AH6NBVA1E von Winbond Electronics ist ein hochwertiger 1-Gbit-LPDDR2-S4B-SDRAM für mobile Anwendungen, der speziell für höchste Zuverlässigkeitsanforderungen in der Automobil-, Industrie- und Mobilbranche entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 64M x 16 und einer Taktfrequenz von 533 MHz bietet dieser DRAM herausragende Leistung für unternehmenskritische Embedded-Systeme.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Die Taktfrequenz von 533 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet einen schnellen Datenzugriff für anspruchsvolle Anwendungen.
- Geringer Stromverbrauch: Optimierte LPDDR2-S4B-Technologie mit dualer Spannungsversorgung (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V) für energieeffiziente mobile und eingebettete Systeme
- Breiter Betriebstemperaturbereich: -40 °C bis 85 °C (TC) macht es ideal für Automobil- und Industrieumgebungen
- Kompaktes SMD-Gehäuse: Die 134-VFBGA-Bauform (10 x 11,5 mm) optimiert den Platzbedarf auf der Leiterplatte bei beengten Platzverhältnissen.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt globale Regulierungsstandards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W97AH6NBVA1E wurde für hochzuverlässige Systeme entwickelt, die schnelle und effiziente Speicherlösungen erfordern:
- Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
- Industrielle Steuerungs- und Automatisierungsgeräte
- Mobile Computer und Handheld-Geräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Medizinische Diagnosegeräte
- Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt sowie im Verteidigungsbereich
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 533 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |

W97AH6NBVA1E.pdf