W97AH6NBVA2E
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W97AH6NBVA2E – Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR2-S4B-DRAM
Der Winbond W97AH6NBVA2E ist ein hochwertiger 1-Gbit-LPDDR2-S4B-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der speziell für hochzuverlässige Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dank seiner fortschrittlichen 64M x 16-Speicherorganisation und einer Taktfrequenz von 400 MHz bietet diese Komponente herausragende Leistung für unternehmenskritische mobile und eingebettete Anwendungen.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Leistungsfähigkeit: Eine Taktfrequenz von 400 MHz bei einer Schreibzykluszeit von 15 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für anspruchsvolle mobile Anwendungen.
- Geringer Stromverbrauch: Der optimierte Spannungsbereich (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V) verlängert die Akkulaufzeit in tragbaren Geräten.
- Breiter Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -25 °C bis 85 °C gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb auch unter rauen Industriebedingungen.
- Kompaktes SMD-Design: Das 134-VFBGA-Gehäuse (10 x 11,5 mm) maximiert die Platzausnutzung auf der Leiterplatte.
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Regulierungsstandards.
Technische Spezifikationen
Anwendungen
Der W97AH6NBVA2E ist ideal für:
- Mobile Computergeräte und Smartphones
- Infotainment- und Fahrerassistenzsysteme für Fahrzeuge
- Industrielle Steuerungs- und Automatisierungsgeräte
- Medizinische Diagnose- und Überwachungsgeräte
- Telekommunikationsinfrastruktur
- Eingebettete Systeme, die hochzuverlässigen Speicher benötigen
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Verwandte Ressourcen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tablett | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Speichergröße | 1 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 400 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |

W97AH6NBVA2E.pdf