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W97BH2MBVA1E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W97BH2MBVA1E TR - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR2-Speicher
Der W97BH2MBVA1E TR von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-LPDDR2-S4B-SDRAM für mobile Anwendungen, der speziell für anspruchsvolle mobile und eingebettete Systeme entwickelt wurde. Diese Speicherkomponente in Industriequalität bietet herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 533 MHz und arbeitet zuverlässig über einen weiten Temperaturbereich.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 64M x 32 Speicherorganisation
- Hohe Leistung: 533 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit
- Für Mobilgeräte optimiert: LPDDR2-S4B-Technologie für energieeffizienten Betrieb
- Breiter Betriebstemperaturbereich: -25 °C bis 85 °C (TC) für industrielle Anwendungen
- Kompaktes Gehäuse: 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) SMD-Design
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, industrielle Steuerungen, IoT-Geräte und andere mobile Computerplattformen, die zuverlässigen Hochgeschwindigkeitsspeicher mit verlängerter Lebensdauerunterstützung benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Warum Winbond-Speicher wählen?
Winbond Electronics ist ein weltweit führender und anerkannter Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen und bietet langfristige Produktverfügbarkeit, umfassenden technischen Support und strenge Qualitätsstandards. Diese Komponente ist vollständig rückverfolgbar und erfüllt internationale Konformitätsanforderungen.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 533 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |  |
W97BH2MBVA1E TR.pdf