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W97BH2MBVA2E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W97BH2MBVA2E TR - Hochleistungsfähiger mobiler LPDDR2-S4B DRAM
Der Winbond W97BH2MBVA2E TR ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-LPDDR2-S4B-SDRAM für mobile Anwendungen, der speziell für anspruchsvolle Anwendungen in Mobilgeräten, Automobilsystemen und Industrieanlagen entwickelt wurde. Diese flüchtige Speicherlösung bietet herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 400 MHz und einem effizienten Stromverbrauch.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 64M x 32 Organisation für optimale Datenverarbeitung
- Hohe Leistungsfähigkeit: 400 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit
- Energiesparendes Design: Betrieb mit zwei Spannungen (1,14 V–1,3 V, 1,7 V–1,95 V) für maximale Energieeffizienz
- Industriequalität: Breiter Betriebstemperaturbereich (-25 °C bis 85 °C) für raue Umgebungen
- Kompaktes Gehäuse: 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) SMD-Design
- Produktionsbereit: Gurtverpackung für die automatisierte Montage
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, industrielle Steuerungen, IoT-Geräte und eingebettete Systeme, die einen zuverlässigen, schnellen flüchtigen Speicher mit geringem Stromverbrauch benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Warum Winbond-Speicher wählen?
Winbond Electronics ist ein weltweit führender und vertrauenswürdiger Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen und bietet bewährte Zuverlässigkeit, umfassenden technischen Support und langfristige Produktverfügbarkeit für unternehmenskritische Anwendungen.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 64 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 400 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |  |
W97BH2MBVA2E TR.pdf