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W97BH6MBVA1E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W97BH6MBVA1E TR - Hochleistungsfähiger mobiler DRAM-Speicher
Der W97BH6MBVA1E TR von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 2-Gbit-LPDDR2-S4B-Mobil-DRAM, der für anspruchsvolle mobile und eingebettete Anwendungen entwickelt wurde. Diese Speicherkomponente in Industriequalität bietet außergewöhnliche Leistung mit einer Taktfrequenz von 533 MHz und arbeitet zuverlässig über einen weiten Temperaturbereich.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 128M x 16 Organisation für effiziente Datenspeicherung
- Für Mobilgeräte optimiert: LPDDR2-S4B-Technologie, entwickelt für mobile Anwendungen mit geringem Stromverbrauch.
- Hohe Leistung: 533 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -25 °C bis 85 °C (TC)
- Kompaktes Gehäuse: 134-VFBGA (10 x 11,5 mm) SMD-Gehäuse für platzsparende Designs
- RoHS-konform: Umweltfreundlich, entspricht internationalen Standards
Anwendungen
Ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, industrielle Steuerungen, IoT-Geräte und andere mobile Computerplattformen, die leistungsstarke und energieeffiziente Speicherlösungen benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Warum Winbond-Speicher wählen?
Winbond Electronics ist ein weltweit führender und anerkannter Anbieter von Halbleiterspeicherlösungen und bietet langfristige Produktverfügbarkeit, umfassenden technischen Support und bewährte Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Anwendungen. Alle Produkte unterliegen strengen Qualitätskontrollen und sind vollständig rückverfolgbar.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 533 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |  |
W97BH6MBVA1E TR.pdf