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W97BH6MBVA2E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W97BH6MBVA2E TR – Hochleistungsfähige mobile DRAM-Lösung
Der Winbond W97BH6MBVA2E TR ist ein hochwertiger 2-Gbit-LPDDR2-S4B-SDRAM-Speicher für mobile Anwendungen, der speziell für anspruchsvolle mobile und eingebettete Systeme entwickelt wurde. Dieser von Winbond Electronics entwickelte Speicherbaustein bietet herausragende Leistung mit einer Taktfrequenz von 400 MHz und HSUL_12-Schnittstellentechnologie.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hochdichter Speicher: 2 Gbit Kapazität mit 128M x 16 Organisation für effizientes Datenmanagement
- Für Mobilgeräte optimiert: Die LPDDR2-S4B-Technologie gewährleistet einen geringen Stromverbrauch für eine längere Akkulaufzeit.
- Hohe Leistungsfähigkeit: 400 MHz Taktfrequenz mit 15 ns Schreibzykluszeit
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -25 °C bis 85 °C (TC)
- Unterstützung für zwei Spannungen: Versorgungsspannungen von 1,14 V ~ 1,3 V und 1,7 V ~ 1,95 V
- Platzsparend: Kompaktes 134-VFBGA-Gehäuse (10 x 11,5 mm) für die Oberflächenmontage
- RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung
Ideale Anwendungsbereiche
Ideal für Smartphones, Tablets, Infotainmentsysteme in Fahrzeugen, industrielle Steuerungen, IoT-Geräte und andere mobile Computerplattformen, die zuverlässige, leistungsstarke Speicherlösungen benötigen.
Vollständige technische Spezifikationen
Verpackung: Erhältlich als Gurtverpackung (TR) für automatisierte Montageprozesse.
Qualitätssicherung: Hergestellt von Winbond Electronics unter Einhaltung strenger Qualitätskontrollstandards, um langfristige Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit zu gewährleisten.
| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband und Spule (TR) | Tonband und Spule (TR) |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2-S4B |
| Speichergröße | 2 Gbit/s |
| Speicherorganisation | 128 m x 16 |
| Speicherschnittstelle | HSUL_12 |
| Taktfrequenz | 400 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | - |
| Spannungsversorgung | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 134-VFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 134-VFBGA (10x11,5) |
| RoHS |  |
W97BH6MBVA2E TR.pdf