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Winbond Electronics

W987D2HBJX7E

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Winbond W987D2HBJX7E - Hochleistungsfähiger mobiler LPSDR-SDRAM-Speicher-IC

Der W987D2HBJX7E von Winbond Electronics ist ein hochzuverlässiger 128-Mbit-Mobile-Low-Power-SDR-SDRAM-Speicher-IC (LPSDR), der für anspruchsvolle Embedded-Systeme entwickelt wurde. Diese flüchtige DRAM-Speicherlösung bietet mit einer Taktfrequenz von 133 MHz und einer ultraschnellen Zugriffszeit von 5,4 ns herausragende Leistung und eignet sich daher ideal für Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation, wo Zuverlässigkeit und Leistung entscheidend sind.

Hauptmerkmale und Vorteile

  • Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 133 MHz bei einer Zugriffszeit von 5,4 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung.
  • Optimierte Speicherarchitektur: Die 4M x 32-Organisation (128 Mbit Gesamtkapazität) ermöglicht ein flexibles Speichermanagement.
  • Geringer Stromverbrauch: Mobile LPSDR-Technologie mit einer Versorgungsspannung von 1,7 V ~ 1,95 V für energieeffizienten Betrieb
  • Breiter Betriebstemperaturbereich: -25 °C bis 85 °C (TC) – geeignet für raue Umgebungsbedingungen
  • Kompaktes SMD-Gehäuse: 90-VFBGA-Format (8x13) optimiert die Platinenplatznutzung
  • RoHS-konform: Umweltfreundliche Fertigung erfüllt globale Standards

Technische Spezifikationen

Anwendungen

Der W987D2HBJX7E wurde für unternehmenskritische eingebettete Systeme entwickelt, die hochzuverlässige Speicherlösungen erfordern, darunter Flugsteuerungssysteme für die Luft- und Raumfahrt, Sicherheitsmodule für die Automobilindustrie, Steuerungen für die industrielle Automatisierung, medizinische Diagnosegeräte und Telekommunikationsinfrastruktur. Dank seiner robusten Bauweise und des breiten Temperaturbereichs eignet er sich für anspruchsvolle Betriebsumgebungen.

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Produkteigenschaften Immobilienwert
Hersteller Winbond Electronics
Produktserie
Verpackung Tablett |
Speichertyp Flüchtig
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPSDR
Speichergröße 128 Mbit
Speicherorganisation 4 m x 32
Speicherschnittstelle Parallel
Taktfrequenz 133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15 ns
Zugriffszeit 5,4 ns
Spannungsversorgung 1,7 V ~ 1,95 V
Betriebstemperatur -25 °C ~ 85 °C (TC)
Grad -
Qualifikation -
Montageart Oberflächenmontage
Verpackung / Gehäuse 90-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten 90-VFBGA (8x13)
RoHS RoHS Compliant - Hazardous Substance Free Electronic Components | HQICKEY

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