W989D2DBJX6E

Der W989D2DBJX6E von Winbond Electronics ist ein leistungsstarker 512-Mbit-Mobil-LPSDR-SDRAM (Low Power Single Data Rate), der für unternehmenskritische Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Industrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation entwickelt wurde. Dieser flüchtige DRAM-Speicher verfügt über eine 16M x 32-Struktur mit LVCMOS-Schnittstelle und bietet zuverlässige Leistung bei einer Taktfrequenz von 166 MHz mit einer außergewöhnlich kurzen Zugriffszeit von 5 ns.

Diese für anspruchsvolle Embedded-Systeme entwickelte SMD-Speicherkomponente arbeitet in einem breiten Temperaturbereich von -25 °C bis 85 °C und verfügt über ein kompaktes 90-VFBGA-Gehäuse (8x13). Mit einem Versorgungsspannungsbereich von 1,7 V bis 1,95 V bietet der W989D2DBJX6E eine hervorragende Energieeffizienz für mobile und batteriebetriebene Anwendungen und erfüllt gleichzeitig die für hochzuverlässige Halbleiterlösungen erforderlichen Standards hinsichtlich Langlebigkeit und Leistung.

Hauptmerkmale und Vorteile:

• 512 Mbit Speicherkapazität mit 16M x 32 Organisation
• Hohe Taktfrequenz von 166 MHz für schnelle Datenverarbeitung
• Ultraschnelle Zugriffszeit von 5 ns und Schreibzykluszeit von 15 ns
• Geringer Stromverbrauch (Versorgungsspannung 1,7 V ~ 1,95 V)
• Erweiterter Betriebstemperaturbereich (-25 °C ~ 85 °C)
• Kompaktes 90-VFBGA-Oberflächenmontagegehäuse
• RoHS-konform für Umweltschutz
• Ideal für Mikrocontroller, FPGAs und Embedded-System-Controller

Technische Spezifikationen:

Anwendungsbereiche:

Der W989D2DBJX6E eignet sich ideal für hochzuverlässige Embedded-Systeme, die schnelle und effiziente Speicherlösungen benötigen. Typische Anwendungsbereiche sind Fahrzeugsteuerungssysteme, industrielle Automatisierungsanlagen, Medizingeräte, Instrumente für die Luft- und Raumfahrt, Telekommunikationsinfrastrukturen und mobile Computerplattformen, bei denen Leistung, Zuverlässigkeit und Energieeffizienz von höchster Bedeutung sind.

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