W989D2DBJX6E TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Winbond W989D2DBJX6E TR – Hochleistungsfähiges mobiles LPSDR-SDRAM
Der W989D2DBJX6E TR von Winbond Electronics bietet herausragende Leistung und Zuverlässigkeit für unternehmenskritische Embedded-Systeme. Dieser 512-Mbit-Mobile-Low-Power-Single-Data-Rate-SDRAM (LPSDR) wurde für anspruchsvolle Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der industriellen Steuerungstechnik, der Medizintechnik und der Telekommunikationsinfrastruktur entwickelt.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: Die Taktfrequenz von 166 MHz bei einer Zugriffszeit von 5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für zeitkritische Anwendungen.
- Betrieb mit niedrigem Stromverbrauch: Die Versorgungsspannung von 1,7 V ~ 1,95 V optimiert die Energieeffizienz in mobilen und batteriebetriebenen Systemen.
- Robuster Temperaturbereich: Der Betriebstemperaturbereich von -25 °C bis 85 °C gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb auch unter rauen Industriebedingungen.
- Kompaktes SMD-Design: Das 90-VFBGA-Gehäuse (8x13) maximiert die Platzausnutzung auf der Leiterplatte.
- LVCMOS-Schnittstelle: Die branchenübliche Schnittstelle vereinfacht die Integration in bestehende Designs.
- RoHS-konform: Umweltverträgliche Fertigung erfüllt globale regulatorische Standards
Ideale Anwendungsbereiche
Diese hochzuverlässige Speicherlösung eignet sich hervorragend für eingebettete Systeme, die unter anspruchsvollen Bedingungen eine gleichbleibende Leistung erfordern, darunter Kfz-Steuergeräte, industrielle Automatisierungssteuerungen, medizinische Diagnosegeräte, Avionik für die Luft- und Raumfahrt sowie Telekommunikationsnetzinfrastrukturen.
Vollständige technische Spezifikationen
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | LVCMOS |
| Taktfrequenz | 166 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -25 °C ~ 85 °C (TC) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 90-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 90-VFBGA (8x13) |
| RoHS |

W989D2DBJX6E TR.pdf