W989D2DBJX6I TR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €2,95 EUR | €2,95 EUR |
| 15+ | €2,71 EUR | €40,65 EUR |
| 25+ | €2,66 EUR | €66,50 EUR |
| 50+ | €2,51 EUR | €125,50 EUR |
| 100+ | €2,21 EUR | €221,00 EUR |
| N+ | €0,44 EUR | Price Inquiry |
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Produktübersicht
Der Winbond W989D2DBJX6I TR ist ein leistungsstarker 512-Mbit-Mobile-Low-Power-Single-Data-Rate-SDRAM (LPSDR), der für unternehmenskritische Embedded-Anwendungen entwickelt wurde. Mit einer Speicherorganisation von 16M x 32 und einer Taktfrequenz von 166 MHz bietet diese industrietaugliche Speicherkomponente außergewöhnliche Zuverlässigkeit für Systeme in der Luft- und Raumfahrt, der Automobilindustrie, der Medizintechnik und der Telekommunikation.
Hauptmerkmale und Vorteile
- Hohe Geschwindigkeit: Eine Taktfrequenz von 166 MHz bei einer Zugriffszeit von 5 ns gewährleistet eine schnelle Datenverarbeitung für anspruchsvolle Anwendungen.
- Geringer Stromverbrauch: Mobile LPSDR-Technologie optimiert für energieeffizienten Betrieb (Versorgungsspannung 1,7 V ~ 1,95 V)
- Industrieller Temperaturbereich: Zuverlässiger Betrieb von -40 °C bis 85 °C unter rauen Umgebungsbedingungen
- Kompakte Bauform: Das 90-VFBGA-Gehäuse (8x13) für die Oberflächenmontage spart wertvollen Platinenplatz in eingebetteten Designs.
- RoHS-konform: Umweltfreundlich und erfüllt die globalen regulatorischen Standards für Gefahrstoffe
- Parallele Schnittstelle: Unkomplizierte Integration in bestehende Systemarchitekturen
Anwendungen
Der W989D2DBJX6I TR eignet sich ideal für eine breite Palette missionskritischer Anwendungen, darunter Flugsteuerungssysteme in der Luft- und Raumfahrt, Infotainment- und ADAS-Plattformen für die Automobilindustrie, industrielle Automatisierungssteuerungen, medizinische Diagnosegeräte und Telekommunikationsinfrastrukturen, bei denen Zuverlässigkeit, Leistung und Langlebigkeit von größter Bedeutung sind.
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| Produkteigenschaften | Immobilienwert |
| Hersteller | Winbond Electronics |
| Produktserie | |
| Verpackung | Tonband & Spule (TR) | |
| Speichertyp | Flüchtig |
| Speicherformat | DRAM |
| Technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Speichergröße | 512 Mbit |
| Speicherorganisation | 16 m x 32 |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 166 MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15 ns |
| Zugriffszeit | 5 ns |
| Spannungsversorgung | 1,7 V ~ 1,95 V |
| Betriebstemperatur | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Grad | - |
| Qualifikation | - |
| Montageart | Oberflächenmontage |
| Verpackung / Gehäuse | 90-TFBGA |
| Gerätepaket des Lieferanten | 90-VFBGA (8x13) |
| RoHS |

W989D2DBJX6I TR.pdf