AS4C128M16D3LB-12BINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
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Mémoire SDRAM DDR3L Alliance Memory AS4C128M16D3LB-12BINTR
Puce mémoire SDRAM DDR3L 2 Gbit haute performance conçue pour les applications industrielles et embarquées nécessitant un fonctionnement fiable et à faible consommation sur des plages de températures étendues.
Caractéristiques principales :
- Capacité de 2 Gbit - Organisation de la mémoire 128 Mo x 16 pour une conception système flexible
- Fréquence d'horloge de 800 MHz - Transfert de données rapide avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns et un temps d'accès de 20 ns.
- Technologie DDR3L basse consommation - Tension d'alimentation nominale de 1,35 V (1,283 V à 1,45 V) réduisant la consommation d'énergie
- Plage de températures industrielles - Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 95 °C (TC)
- Boîtier 96-TFBGA - Boîtier BGA compact de 13 x 9 mm à montage en surface pour les conceptions à espace restreint
- Conforme à la norme RoHS - Construction écologique et sans plomb
Applications :
Idéal pour les systèmes automobiles, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les dispositifs médicaux et autres applications nécessitant une disponibilité à long terme et un fonctionnement à température prolongée.
Spécifications techniques complètes :
Pourquoi choisir Alliance Memory ?
Alliance Memory est spécialisée dans les composants semi-conducteurs haute fiabilité, à longue durée de vie et bénéficiant d'un support technique complet. Distributeur agréé, nous fournissons des composants authentiques avec traçabilité complète et garantie.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande magnétique (TR) | Bande magnétique (TR) |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3L |
| Taille de la mémoire | 2 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 128M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 800 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,283 V ~ 1,45 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 96-TFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 96-BGA (13x9) |
| RoHS |

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