AS4C128M8D2A-25BINTR

Alliance Memory AS4C128M8D2A-25BINTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 1 Gbit

L'AS4C128M8D2A-25BINTR est un circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 1 Gbit hautes performances d'Alliance Memory, Inc. Doté d'une architecture 128M x 8 et d'une fréquence d'horloge de 400 MHz, ce composant DRAM volatil offre des performances mémoire fiables pour les applications industrielles, automobiles, de télécommunications et embarquées. Conditionné en boîtier CMS 60-TFBGA (8x10) compact, avec une plage de températures de fonctionnement de -40 °C à 95 °C, ce circuit intégré est idéal pour les conceptions à long cycle de vie exigeant une alimentation stable et une traçabilité complète du fabricant.

Caractéristiques principales :

• Mémoire SDRAM DDR2 de 1 Gbit avec une organisation de mémoire de 128 Mo x 8
• Fréquence d'horloge de 400 MHz avec un temps de cycle d'écriture de 15 ns
• Plage de températures industrielles : -40 °C à 95 °C (TC)
• Boîtier de montage en surface 60-FBGA (8x10)
• Conforme à la norme RoHS, stock du distributeur agréé
• Documentation complète du fabricant et traçabilité

Spécifications techniques :

• AS4C128M8D2A-25BINTR.pdf