AS4C16M16D1-5BINTR

Alliance Memory AS4C16M16D1-5BINTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR haute performance

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 256 Mbit AS4C16M16D1-5BINTR d'Alliance Memory est un produit haut de gamme conçu pour les applications industrielles, automobiles, aérospatiales et médicales exigeantes. Cette solution mémoire haute fiabilité offre des performances exceptionnelles grâce à une fréquence d'horloge de 200 MHz et une large plage de températures de fonctionnement (de -40 °C à 85 °C), ce qui la rend idéale pour les systèmes critiques nécessitant un fonctionnement constant dans des environnements difficiles.

Principales caractéristiques et avantages

• Stockage haute densité : une capacité de 256 Mbits avec une organisation mémoire de 16 M x 16 offre un espace suffisant pour les applications gourmandes en données.
• Performances rapides : une fréquence d’horloge de 200 MHz, un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 700 ps garantissent un traitement rapide des données.
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C pour une utilisation en environnement extrême
• Faible consommation d'énergie : une tension d'alimentation de 2,3 V à 2,7 V optimise l'efficacité énergétique.
• Conception pour montage en surface : le boîtier 60-TFBGA (8x13) permet des agencements de circuits imprimés compacts.
• Conforme à la directive RoHS : Fabrication respectueuse de l'environnement et conforme aux normes internationales

Spécifications techniques

Applications

Cette mémoire DDR SDRAM est parfaitement adaptée pour :

• Systèmes aérospatiaux et de défense exigeant une haute fiabilité
• Électronique automobile et ADAS (systèmes avancés d'aide à la conduite)
• Systèmes d'automatisation et de contrôle industriels
• Équipements de diagnostic et d'imagerie médicale
• Infrastructure de télécommunications
• Plateformes informatiques embarquées hautes performances

Qualité et fiabilité

Alliance Memory applique des normes de qualité rigoureuses, une traçabilité complète et un support à long terme, garantissant ainsi à vos applications critiques les composants mémoire nécessaires pour les années à venir. Chaque composant est soumis à des tests complets afin de répondre aux exigences élevées des applications industrielles et critiques.

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