AS4C16M16SA-6BINTR

€3,95

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Quantity	Unit Price	Total Price
1	€3,95 EUR	€3,95 EUR
15+	€3,63 EUR	€54,45 EUR
25+	€3,56 EUR	€89,00 EUR
50+	€3,36 EUR	€168,00 EUR
100+	€2,96 EUR	€296,00 EUR
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AS4C16M16SA-6BINTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM haute performance de 256 Mbit

La mémoire AS4C16M16SA-6BINTR d'Alliance Memory est une DRAM synchrone haute fiabilité de 256 Mbit conçue pour les applications industrielles, automobiles, médicales et de télécommunications nécessitant un support à long terme et des performances éprouvées.

Caractéristiques principales

Capacité mémoire : 256 Mbit (organisation 16M x 16)
Vitesse : fréquence d’horloge de 166 MHz avec un temps d’accès de 5 ns
Interface : SDRAM parallèle avec une tension d'alimentation de 3,0 V à 3,6 V
Plage de température : -40 °C à 85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
Conditionnement : 54 boîtiers TFBGA (8 x 8 mm) à montage en surface, livrés sur bande et bobine
Conformité : conforme aux normes RoHS/REACH avec traçabilité complète

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, les contrôleurs industriels, les dispositifs médicaux et toute application nécessitant des solutions de mémoire stables et à long terme avec une continuité d'alimentation garantie.

Spécifications techniques complètes

Attributs du produit	Valeur de la propriété
Fabricant	Alliance Memory, Inc.
Gamme de produits
Conditionnement	Bande et bobine (TR) \|
Type de mémoire	Volatil
Format de mémoire	DRACHME
Technologie	SDRAM
Taille de la mémoire	256 Mbits
Organisation de la mémoire	16M x 16
Interface mémoire	Parallèle
Fréquence d'horloge	166 MHz
Écrire le temps de cycle - Word, Page	12ns
Temps d'accès	5 ns
Tension - Alimentation	3V ~ 3,6V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Emballage / Étui	54-TFBGA
Emballage du dispositif du fournisseur	54-TFBGA (8x8)
RoHS