AS4C1G16MD4VA-046BIN

AS4C1G16MD4VA-046BIN - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR4X 16 Gb

La mémoire AS4C1G16MD4VA-046BIN d'Alliance Memory est une mémoire SDRAM LPDDR4X haute performance de 16 gigabits conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant une faible consommation d'énergie et un transfert de données à haut débit. Avec une fréquence d'horloge de 2,133 GHz et une organisation mémoire de 1G x 16, ce composant offre des performances fiables pour les systèmes automobiles, industriels et de télécommunications.

Caractéristiques principales :

• Capacité de 16 Gbit avec une organisation 1G x 16 pour une architecture mémoire flexible
• Fréquence d'horloge de 2133 MHz permettant un débit de données rapide
• Fonctionnement à faible consommation : tension du noyau de 1,06 V à 1,17 V, tension d’alimentation de 1,7 V à 1,95 V.
• Large plage de températures : -40 °C à +85 °C pour une fiabilité de niveau industriel
• Boîtier CMS 200-FBGA (10 x 15 mm) pour circuits imprimés compacts
• Temps d'accès de 3,5 ns et cycle d'écriture de 18 ns pour des performances réactives

Applications :

Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les contrôleurs industriels, les infrastructures de télécommunications, les dispositifs IoT périphériques et les plateformes informatiques embarquées nécessitant un support à long terme et des composants authentiques et traçables.

Avantages réservés aux distributeurs agréés :

Nous fournissons des composants Alliance Memory 100% authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes critiques et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques :

• AS4C1G16MD4VA-046BIN.pdf