AS4C32M16D1A-5TINTR

Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR Alliance Memory AS4C32M16D1A-5TINTR

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR 512 Mbit AS4C32M16D1A-5TINTR d'Alliance Memory est une solution haute performance conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Cette mémoire volatile, organisée en 32 Mbits x 16 avec interface parallèle, offre des performances fiables sur une large plage de températures.

Caractéristiques principales :

• Performances haute vitesse : fréquence d’horloge de 200 MHz avec un temps de cycle d’écriture de 15 ns et un temps d’accès de 700 ps
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de -40 °C à 85 °C (TA)
• Alimentation flexible : tension de fonctionnement de 2,3 V à 2,7 V pour les applications basse consommation
• Boîtier compact : boîtier de montage en surface 66-TSOP II (0,400", largeur 10,16 mm)
• Conforme à la directive RoHS : respectueux de l'environnement et conforme aux normes internationales.
• Conditionnement en bande et bobine : Emballage prêt pour la production et l'assemblage automatisé

Applications :

Idéal pour les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et les plateformes informatiques embarquées nécessitant une mémoire fiable et rapide, un fonctionnement à température étendue et une longue durée de vie.

Spécifications techniques :

Documentation : Fiche technique complète et ressources techniques disponibles pour faciliter l'intégration au design.

Produits et ressources associés :

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