-
Image shown is a representation only. Exact specifications should be obtained from the product data sheet.
AS4C32M16D3-12BINTR
| Quantity | Unit Price | Total Price |
|---|---|---|
| 1 | €3,95 EUR | €3,95 EUR |
| 15+ | €3,63 EUR | €54,45 EUR |
| 25+ | €3,56 EUR | €89,00 EUR |
| 50+ | €3,36 EUR | €168,00 EUR |
| 100+ | €2,96 EUR | €296,00 EUR |
| N+ | €0,59 EUR | Price Inquiry |
Impossible de charger la disponibilité du service de retrait
AS4C32M16D3-12BINTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR3
La puce AS4C32M16D3-12BINTR d'Alliance Memory est une mémoire SDRAM DDR3 haute performance de 512 Mbits conçue pour les applications industrielles, automobiles et embarquées exigeantes. Dotée d'une architecture mémoire 32M x 16 et d'une fréquence d'horloge de 800 MHz, elle offre des performances fiables sur une large plage de températures, de -40 °C à 95 °C.
Caractéristiques principales :
- Mémoire SDRAM DDR3 de 512 Mbits avec organisation 32M x 16
- Fréquence d'horloge de 800 MHz avec un temps d'accès de 20 ns
- Plage de température étendue : -40 °C à 95 °C (TC)
- Fonctionnement à basse tension : 1,425 V à 1,575 V
- Boîtier de montage en surface 96-VFBGA (8x13mm)
- Conforme aux normes RoHS et REACH
- Disponible en conditionnement sur bande et bobine pour assemblage automatisé
Applications : Idéal pour les systèmes de contrôle industriels, l'électronique automobile, les dispositifs médicaux, les équipements de télécommunications et autres applications à haute fiabilité nécessitant un support à long terme et une traçabilité complète.
Spécifications techniques complètes
Qualité et conformité : Ce produit est fabriqué selon les normes de qualité les plus strictes et est entièrement conforme aux normes RoHS et REACH. Alliance Memory garantit une traçabilité complète et un engagement sur le long terme, ce qui rend ce composant idéal pour les conceptions exigeant une disponibilité et une fiabilité accrues.
| Attributs du produit | Valeur de la propriété |
| Fabricant | Alliance Memory, Inc. |
| Gamme de produits | |
| Conditionnement | Bande et bobine (TR) | |
| Type de mémoire | Volatil |
| Format de mémoire | DRACHME |
| Technologie | SDRAM - DDR3 |
| Taille de la mémoire | 512 Mbits |
| Organisation de la mémoire | 32M x 16 |
| Interface mémoire | Parallèle |
| Fréquence d'horloge | 800 MHz |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page | - |
| Temps d'accès | 20 ns |
| Tension - Alimentation | 1,425 V ~ 1,575 V |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Grade | - |
| Qualification | - |
| Type de montage | Montage en surface |
| Emballage / Étui | 96-VFBGA |
| Emballage du dispositif du fournisseur | 96-FBGA (8x13) |
| RoHS |  |
AS4C32M16D3-12BINTR.pdf