AS4C512M16MD4VA-046BIN

Alliance Memory AS4C512M16MD4VA-046BIN - Circuit intégré de mémoire SDRAM LPDDR4X 8 Gbit

La mémoire AS4C512M16MD4VA-046BIN d'Alliance Memory est une mémoire SDRAM LPDDR4X 8 Gbit hautes performances conçue pour les applications mobiles et embarquées exigeant une faible consommation d'énergie et un transfert de données à haut débit. Avec une organisation mémoire de 512 Mbits x 16 et une fréquence d'horloge de 2 133 MHz, ce circuit intégré mémoire offre des performances fiables pour les systèmes automobiles, industriels et de télécommunications.

Caractéristiques principales :

• Capacité de mémoire de 8 Gbit - Organisation 512 Mo x 16 pour une conception système flexible
• Performances haute vitesse : fréquence d'horloge de 2 133 MHz avec un temps d'accès de 3,5 ns.
• Technologie LPDDR4X basse consommation - Optimisée pour les applications mobiles et alimentées par batterie
• Large plage de températures de fonctionnement : -40 °C à 85 °C (TC) pour une fiabilité de niveau industriel
• Boîtier compact 200-VFBGA - Format 10 x 15 mm pour les conceptions à espace restreint
• Conforme à la directive RoHS - Respectueux de l'environnement et conforme à la réglementation

Applications :

Idéal pour les systèmes d'infodivertissement automobile, les contrôleurs industriels, les équipements de télécommunications, les plateformes informatiques embarquées et les appareils IoT nécessitant des solutions de mémoire haute densité et basse consommation.

Avantages réservés aux distributeurs agréés :

Nous fournissons des composants Alliance Memory authentiques avec une documentation complète du fabricant, des certificats de traçabilité et une disponibilité à long terme pour soutenir vos programmes de conception critiques et atténuer les risques d'obsolescence.

Spécifications techniques complètes :

• AS4C512M16MD4VA-046BIN.pdf