AS4C64M16D2A-25BCNTR

AS4C64M16D2A-25BCNTR - Circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 haute performance

Le circuit intégré de mémoire SDRAM DDR2 1 Gbit AS4C64M16D2A-25BCNTR d'Alliance Memory est un composant haute fiabilité conçu pour les applications exigeantes des secteurs de l'aérospatiale, de l'automobile, de l'industrie, du médical et des télécommunications. Ce circuit intégré de mémoire dispose d'une architecture 64M x 16 avec interface parallèle et fonctionne à une fréquence d'horloge de 400 MHz, garantissant des performances robustes pour les systèmes critiques.

Principales caractéristiques et avantages

• Mémoire haute densité : capacité de 1 Gbit avec une organisation de 64 M x 16 pour un stockage de données efficace
• Performances rapides : fréquence d’horloge de 400 MHz, temps d’accès de 400 ps et cycle d’écriture de 15 ns
• Plage de températures industrielles : Fonctionne de manière fiable de 0 °C à 85 °C (TC)
• Faible consommation d'énergie : tension d'alimentation de 1,7 V à 1,9 V pour un fonctionnement écoénergétique
• Conception pour montage en surface : boîtier TFBGA 84 (8 x 12,5 mm) pour des circuits imprimés compacts.
• Conformité totale : conforme à la directive RoHS avec une traçabilité complète pour les industries réglementées

Applications

Idéal pour les systèmes embarqués, les équipements de réseau, l'automatisation industrielle, les dispositifs médicaux et les infrastructures de télécommunications nécessitant une disponibilité à long terme et une qualité constante.

Spécifications techniques

Pourquoi choisir Alliance Memory ?

Alliance Memory se spécialise dans la fourniture continue et à long terme de composants semi-conducteurs critiques. Grâce à une assistance complète à l'intégration, une documentation technique exhaustive et une logistique mondiale, nous garantissons le respect de vos exigences de production avec une qualité et une fiabilité constantes.

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